RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN1907,LF |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | US6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Grundproduktnummer | RN1907 |
RN1907,LF Einzelheiten PDF [English] | RN1907,LF PDF - EN.pdf |
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TOSHIBA/ New
RN1907(T5L,F,T TOSHIBA
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
RN1906FS(TPL3) TOSHIBA
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RN1907,LFToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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